дискретные полупроводники

Мощные полупроводниковые приборы – сердце силовыхэлектронных устройств. 
Развитие их технологии за более чем50 лет привело к появлению практически всей современнойэлектронной техники. 
Назначение современных силовых дискретныхполупроводниковых приборов – переключение и экстракцияэнергии. 
Области применения самые разнообразные – отдомашней бытовой техники до автомобильной электроники (приборы на напряжение менее 300 В), промышленныхсистем и энергосистем (приборы на напряжение свыше300 В) (рис.1). 
Основные параметры силовых полупроводниковых приборов – напряжение пробоя, сопротивление в открытом состоянии, потери на переключение и проводимости, значениявремени нарастания и спада сигнала при переключении иобласть безопасной работы. 
При этом немаловажную рольиграет соотношение этих характеристик. Так, с ростом напряжения пробоя за счет увеличения толщины и снижения уровня легирования дрейфовой области транзистора возрастаети RDS(on), а формирование транзистора на основе большогочисла параллельно соединенных ячеек с целью уменьшенияэтого сопротивления приводит к увеличению емкости прибора и, следовательно, к снижению его быстродействия.
 
  • Диоды
  • Силовые модули
  • Тиристоры
  • Транзисторы
  • Умные модули питания