Отправьте Ваш запрос на infineon@das-elektro.de или позвоните по телефону 8 (812) 612-97-27 доб. 201

Передовые технологии питания как для высоковольтных, так и для низковольтных приложений в сочетании с полным ассортиментом корпусов и инновационными технологиями соединения кристаллов служат примером инновации ST в силовых транзисторах, принадлежащих к семейству ST POWER. ST предлагает широкий ассортимент силовых полевых МОП-транзисторов от -100 до 1700 В, IGBT с пробивным напряжением от 300 до 1700 В и силовых биполярных транзисторов от 15 до 1700 В. Благодаря улучшенной тепловой конструкции систем силовой электроники ST, МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) обеспечивают хорошую надежность благодаря самому высокому в отрасли температурному диапазону 200 ° C и напряжению от 650 до 1700 В. А также нитриду галлия Транзисторы на кремниевой подложке (GaN / Si) обеспечивают высочайший КПД и самую высокую плотность мощности благодаря выдающемуся удельному динамическому сопротивлению в открытом состоянии и малым емкостям в диапазоне от 100 до 650 В.

Широкий  ассортимент продукции ST POWER в сочетании с современной упаковкой (т.е. дискретной и модульной) и защитой для обеспечения высокой надежности и безопасности помогает дизайнерам находить правильные решения для индивидуальных, высокоэффективных приложений, которые будут служить долгий срок службы.

Транзистор с широкой запрещенной зоной

Силовой МОП-транзистор

БТИЗ

Биполярное питание

SiC MOSFET от 650 В до 1700 В дополнен GaN-транзистором от 100 В до 650 В, что обеспечивает повышенную энергоэффективность, меньший размер, меньший вес, более низкую стоимость системы или все это вместе.

Широкий диапазон пробивных напряжений от -100 В до 1700 В, с низким зарядом затвора и низким сопротивлением в открытом состоянии, в сочетании с современной упаковкой.

Напряжение пробоя от 300 В до 1700 В. Low VCE (SAT)для снижения потерь проводимости.Улучшенный разброс энергии отключения по сравнению с повышением температуры.

В ассортимент входят транзисторы Дарлингтона и биполярные транзисторы с напряжениемCESот 15 В до 1700 В.