Мощные полупроводниковые приборы – сердце силовых электронных устройств. 

Развитие их технологий за более чем 50 лет привело к появлению практически всей современной электронной техники. 

Назначение современных силовых дискретных полупроводниковых приборов – переключение и экстракция энергии. 

Области применения самые разнообразные – от домашней бытовой техники до автомобильной электроники (приборы на напряжение менее 300 В), промышленных систем и энергосистем (приборы на напряжение свыше 300 В).

Основные параметры силовых полупроводниковых приборов – напряжение пробоя, сопротивление в открытом состоянии, потери на переключение и проводимости, значения времени нарастания и спада сигнала при переключении и область безопасной работы. 

При этом немаловажную роль играет соотношение этих характеристик. Так, с ростом напряжения пробоя за счет увеличения толщины и снижения уровня легирования дрейфовой области транзистора возрастает и RDS(on), а формирование транзистора на основе большого числа параллельно соединенных ячеек с целью уменьшения этого сопротивления приводит к увеличению емкости прибора и, следовательно, к снижению его быстродействия.

IGBT модули

Диодно-тиристорные модули

Высокочастотные модули

Платы и микросборки

Модули управления двигателями